IPAN70R600P7SXKSA1 Preise (USD) [158957Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPAN70R600P7SXKSA1 elektronische Komponenten. IPAN70R600P7SXKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPAN70R600P7SXKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPAN70R600P7SXKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPAN70R600P7SXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Serie :
CoolMOS™ P7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
364pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
24.9W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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