IXYS - IXTH30N60L2

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IXTH30N60L2 Preise (USD) [6911Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTH30N60L2
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTH30N60L2 elektronische Komponenten. IXTH30N60L2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTH30N60L2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH30N60L2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTH30N60L2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Serie : Linear L2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 335nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 540W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 (IXTH)
Paket / fall : TO-247-3

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