Diodes Incorporated - 2N7002W-7-F

KEY Part #: K6421131

2N7002W-7-F Preise (USD) [1223462Stück Lager]

  • 1 pcs$0.03023
  • 3,000 pcs$0.02802

Artikelnummer:
2N7002W-7-F
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated 2N7002W-7-F elektronische Komponenten. 2N7002W-7-F kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 2N7002W-7-F haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7002W-7-F Produkteigenschaften

Artikelnummer : 2N7002W-7-F
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 115mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 200mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-323
Paket / fall : SC-70, SOT-323

Sie könnten auch interessiert sein an