APT21M100J Preise (USD) [3017Stück Lager]
- 1 pcs$14.35767
- 10 pcs$13.28003
- Artikelnummer:
- APT21M100J
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT21M100J elektronische Komponenten. APT21M100J kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT21M100J haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
APT21M100J Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT21M100J
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
Serie :
POWER MOS 8™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
462W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
ISOTOP®
Paket / fall :
SOT-227-4, miniBLOC
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