UPA2600T1R-E2-AX Preise (USD) [505848Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- UPA2600T1R-E2-AX
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 7A 6SON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Renesas Electronics America UPA2600T1R-E2-AX elektronische Komponenten. UPA2600T1R-E2-AX kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu UPA2600T1R-E2-AX haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
UPA2600T1R-E2-AX Produkteigenschaften
Artikelnummer :
UPA2600T1R-E2-AX
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 7A 6SON
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19.1 mOhm @ 3.5A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.9nC @ 10V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
870pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.4W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-HUSON (2x2)
Paket / fall :
6-PowerWDFN
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