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- Artikelnummer:
- FDMS3669S
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMS3669S elektronische Komponenten. FDMS3669S kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMS3669S haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDMS3669S Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDMS3669S
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1605pF @ 15V
Leistung max :
1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
Power56
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