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Microchip Technology - VP2206N2

KEY Part #: K6398843

VP2206N2 Preise (USD) [6926Stück Lager]

  • 1 pcs$6.06403
  • 25 pcs$5.56022
  • 100 pcs$5.40289
Artikelnummer:
VP2206N2
Hersteller:
Microchip Technology
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microchip Technology VP2206N2 elektronische Komponenten. VP2206N2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VP2206N2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VP2206N2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : VP2206N2
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 750mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 450pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360mW (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-39
Paket / fall : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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