BSC072N03LDGATMA1 Preise (USD) [160653Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSC072N03LDGATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1 elektronische Komponenten. BSC072N03LDGATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSC072N03LDGATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSC072N03LDGATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSC072N03LDGATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3500pF @ 15V
Leistung max :
57W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8 Dual
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