BSC072N03LDGATMA1 Preise (USD) [160653Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSC072N03LDGATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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BSC072N03LDGATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSC072N03LDGATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3500pF @ 15V
Leistung max :
57W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8 Dual
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