Vishay Siliconix - IRL3303D1STRR

KEY Part #: K6414041

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    Artikelnummer:
    IRL3303D1STRR
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRL3303D1STRR elektronische Komponenten. IRL3303D1STRR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRL3303D1STRR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRL3303D1STRR Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRL3303D1STRR
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
    Serie : -
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 38A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±16V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 68W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : D2PAK
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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