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- Artikelnummer:
- IRFH7182TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET NCH 100V 23A PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - JFETs, Leistungstreibermodule and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFH7182TRPBF elektronische Komponenten. IRFH7182TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFH7182TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFH7182TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFH7182TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET NCH 100V 23A PQFN
Serie :
FASTIRFET™, HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23A (Ta), 157A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
74nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3120pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
4W (Ta), 195W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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