Diodes Incorporated - DMN3008SFGQ-7

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Artikelnummer:
DMN3008SFGQ-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3008SFGQ-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMN3008SFGQ-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17.6A (Ta), 62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3690pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 900mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerDI3333-8
Paket / fall : 8-PowerVDFN