Diodes Incorporated - DMN67D8LW-13

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Artikelnummer:
DMN67D8LW-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V SOT323.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN67D8LW-13 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMN67D8LW-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V SOT323
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 240mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.82nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 320mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-323
Paket / fall : SC-70, SOT-323

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