Infineon Technologies - IRLZ34NPBF

KEY Part #: K6420352

IRLZ34NPBF Preise (USD) [65399Stück Lager]

  • 1 pcs$0.45573
  • 10 pcs$0.40472
  • 100 pcs$0.30248
  • 500 pcs$0.23459
  • 1,000 pcs$0.18520

Artikelnummer:
IRLZ34NPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRLZ34NPBF elektronische Komponenten. IRLZ34NPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLZ34NPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLZ34NPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRLZ34NPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 880pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 68W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3

Sie könnten auch interessiert sein an