VS-GT300YH120N Preise (USD) [518Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- VS-GT300YH120N
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 341A 1042W DIAP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Leistungstreibermodule ...
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VS-GT300YH120N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VS-GT300YH120N
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
341A
Leistung max :
1042W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
300µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
36nF @ 30V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Supplier Device Package :
Double INT-A-PAK
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