TPH3207WS Preise (USD) [2717Stück Lager]
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- 10 pcs$13.48249
- 100 pcs$11.51458
- Artikelnummer:
- TPH3207WS
- Hersteller:
- Transphorm
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET N-CH 650V 50A TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Transphorm TPH3207WS elektronische Komponenten. TPH3207WS kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TPH3207WS haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TPH3207WS Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPH3207WS
Hersteller :
Transphorm
Beschreibung :
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.65V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs (Max) :
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2197pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
178W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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