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- Artikelnummer:
- GP1M009A020HG
- Hersteller:
- Global Power Technologies Group
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 9A TO220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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GP1M009A020HG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
GP1M009A020HG
Hersteller :
Global Power Technologies Group
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
414pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
52W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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