NTJD5121NT1G Preise (USD) [1560510Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NTJD5121NT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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NTJD5121NT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTJD5121NT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
295mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
26pF @ 20V
Leistung max :
250mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SC-88/SC70-6/SOT-363
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