Artikelnummer :
STD10P6F6
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Serie :
DeepGATE™, STripFET™ VI
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 48V
Verlustleistung (max.) :
35W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63