STMicroelectronics - STW54NM65ND

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STW54NM65ND Preise (USD) [6979Stück Lager]

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Artikelnummer:
STW54NM65ND
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 59A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW54NM65ND Produkteigenschaften

Artikelnummer : STW54NM65ND
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
Serie : FDmesh™ II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 49A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 188nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6200pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 350W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247-3
Paket / fall : TO-247-3

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