Artikelnummer :
TPWR8503NL,L1Q
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.85 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
74nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6900pF @ 15V
Verlustleistung (max.) :
800mW (Ta), 142W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-DSOP Advance
Paket / fall :
8-PowerVDFN