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- Artikelnummer:
- PMV117EN,215
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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PMV117EN,215 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PMV117EN,215
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
117 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
147pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
830mW (Tc)
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-236AB (SOT23)
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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