IXKG25N80C Preise (USD) [4446Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXKG25N80C
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 25A ISO264.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IXKG25N80C Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXKG25N80C
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
166nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
250W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
ISO264™
Paket / fall :
ISO264™
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