DF23MR12W1M1B11BPSA1 Preise (USD) [945Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DF23MR12W1M1B11BPSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET MOD 1200V 25A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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DF23MR12W1M1B11BPSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DF23MR12W1M1B11BPSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET MOD 1200V 25A
Serie :
CoolSiC™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.55V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1840pF @ 800V
Leistung max :
20mW
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
AG-EASY1BM-2
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