Vishay Siliconix - SQJ941EP-T1-GE3

KEY Part #: K6522887

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    Artikelnummer:
    SQJ941EP-T1-GE3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs and Dioden - Zener - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQJ941EP-T1-GE3 elektronische Komponenten. SQJ941EP-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQJ941EP-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SQJ941EP-T1-GE3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SQJ941EP-T1-GE3
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8
    Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 10V
    Leistung max : 55W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual
    Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual