IPB80P04P4L06ATMA1 Preise (USD) [114518Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB80P04P4L06ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IPB80P04P4L06ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB80P04P4L06ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH TO263-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
104nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6580pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
88W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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