FDD4N60NZ Preise (USD) [231873Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDD4N60NZ
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD4N60NZ elektronische Komponenten. FDD4N60NZ kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD4N60NZ haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDD4N60NZ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD4N60NZ
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Serie :
UniFET-II™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
510pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
114W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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