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Microsemi Corporation - APTM120H57FT3G

KEY Part #: K6524304

[3876Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APTM120H57FT3G
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - SCRs - Module ...
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    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM120H57FT3G elektronische Komponenten. APTM120H57FT3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM120H57FT3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM120H57FT3G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APTM120H57FT3G
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
    FET-Funktion : Standard
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 684 mOhm @ 8.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 187nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5155pF @ 25V
    Leistung max : 390W
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : SP3
    Supplier Device Package : SP3

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