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- Artikelnummer:
- IPLU300N04S4R7XTMA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 8HSOF.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IPLU300N04S4R7XTMA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPLU300N04S4R7XTMA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 8HSOF
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.76 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 230µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
287nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
22945pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
429W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HSOF-8-1
Paket / fall :
8-PowerSFN
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