AUIRF7303QTR Preise (USD) [4167Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- AUIRF7303QTR
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies AUIRF7303QTR elektronische Komponenten. AUIRF7303QTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AUIRF7303QTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
AUIRF7303QTR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
AUIRF7303QTR
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
515pF @ 25V
Leistung max :
2.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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