Taiwan Semiconductor Corporation - TSM650N15CR RLG

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Artikelnummer:
TSM650N15CR RLG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM650N15CR RLG Produkteigenschaften

Artikelnummer : TSM650N15CR RLG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1829pF @ 75V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 96W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-PDFN (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN

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