DMN6022SSD-13 Preise (USD) [277874Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN6022SSD-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN6022SSD-13 elektronische Komponenten. DMN6022SSD-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN6022SSD-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN6022SSD-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN6022SSD-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2110pF @ 30V
Leistung max :
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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