IPD80R2K8CEATMA1 Preise (USD) [198305Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD80R2K8CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD80R2K8CEATMA1 elektronische Komponenten. IPD80R2K8CEATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD80R2K8CEATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD80R2K8CEATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD80R2K8CEATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Serie :
CoolMOS™ CE
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 120µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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