Toshiba Semiconductor and Storage - TK25E60X5,S1X

KEY Part #: K6417255

TK25E60X5,S1X Preise (USD) [27709Stück Lager]

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Artikelnummer:
TK25E60X5,S1X
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK25E60X5,S1X Produkteigenschaften

Artikelnummer : TK25E60X5,S1X
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Serie : DTMOSIV-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 300V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 180W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220
Paket / fall : TO-220-3