IPDD60R050G7XTMA1 Preise (USD) [16371Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPDD60R050G7XTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IPDD60R050G7XTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPDD60R050G7XTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10
Serie :
CoolMOS™ G7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 800µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2670pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
278W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HDSOP-10-1
Paket / fall :
10-PowerSOP Module
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