IPD60R385CPATMA1 Preise (USD) [84037Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD60R385CPATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 9A TO-252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD60R385CPATMA1 elektronische Komponenten. IPD60R385CPATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD60R385CPATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD60R385CPATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD60R385CPATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
Serie :
CoolMOS™ CP
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
385 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 340µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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