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- Artikelnummer:
- APT20M22B2VRG
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - RF and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APT20M22B2VRG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT20M22B2VRG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
Serie :
POWER MOS V®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
435nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10200pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
520W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
T-MAX™ [B2]
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
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