Artikelnummer :
IPP50CN10NGXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1090pF @ 50V
Verlustleistung (max.) :
44W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3