DMN2026UVT-7 Preise (USD) [602741Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN2026UVT-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN2026UVT-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN2026UVT-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18.4nC @ 8V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
887pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.15W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TSOT-26
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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