FDMS8888 Preise (USD) [374669Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDMS8888
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Programmierbare Einheit and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMS8888 elektronische Komponenten. FDMS8888 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMS8888 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDMS8888 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDMS8888
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-PQFN
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13.5A (Ta), 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1585pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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