Diodes Incorporated - DMN33D8LDW-13

KEY Part #: K6522313

DMN33D8LDW-13 Preise (USD) [1445909Stück Lager]

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Artikelnummer:
DMN33D8LDW-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN33D8LDW-13 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMN33D8LDW-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 48pF @ 5V
Leistung max : 350mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SOT-363

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