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ON Semiconductor - ECH8601M-TL-H-P

KEY Part #: K6523546

[4129Stück Lager]

    Artikelnummer:
    ECH8601M-TL-H-P
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - IGBTs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor ECH8601M-TL-H-P elektronische Komponenten. ECH8601M-TL-H-P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ECH8601M-TL-H-P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ECH8601M-TL-H-P Produkteigenschaften

    Artikelnummer : ECH8601M-TL-H-P
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    FET-Funktion : Logic Level Gate, 2.5V Drive
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 24V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Leistung max : -
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
    Supplier Device Package : 8-ECH

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