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- Artikelnummer:
- NP55N055SDG-E1-AY
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 55A TO-252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Renesas Electronics America NP55N055SDG-E1-AY elektronische Komponenten. NP55N055SDG-E1-AY kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NP55N055SDG-E1-AY haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NP55N055SDG-E1-AY Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NP55N055SDG-E1-AY
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
96nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4800pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.2W (Ta), 77W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252 (MP-3ZK)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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