Infineon Technologies - IRLI530N

KEY Part #: K6415017

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    Artikelnummer:
    IRLI530N
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - IGBTs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRLI530N elektronische Komponenten. IRLI530N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLI530N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLI530N Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRLI530N
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±16V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 41W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220AB Full-Pak
    Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

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