ON Semiconductor - NTMS4101PR2

KEY Part #: K6412614

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    Artikelnummer:
    NTMS4101PR2
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - JFETs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTMS4101PR2 elektronische Komponenten. NTMS4101PR2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTMS4101PR2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTMS4101PR2 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : NTMS4101PR2
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.9A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±8V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3200pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 1.38W (Tj)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 8-SOIC
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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