IXFA180N10T2 Preise (USD) [23090Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFA180N10T2
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFA180N10T2 elektronische Komponenten. IXFA180N10T2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFA180N10T2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFA180N10T2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFA180N10T2
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
Serie :
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
185nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
480W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (IXFA)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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