ALD111933PAL Preise (USD) [25344Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ALD111933PAL
- Hersteller:
- Advanced Linear Devices Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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ALD111933PAL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ALD111933PAL
Hersteller :
Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Serie :
EPAD®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
10.6V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.35V @ 1µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2.5pF @ 5V
Leistung max :
500mW
Betriebstemperatur :
0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package :
8-PDIP
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