IXFN80N60P3 Preise (USD) [4410Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFN80N60P3
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IXFN80N60P3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFN80N60P3
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Serie :
HiPerFET™, Polar3™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
66A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
13100pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
960W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SOT-227B
Paket / fall :
SOT-227-4, miniBLOC
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