IPC020N10L3X1SA1 Preise (USD) [348103Stück Lager]
- 1 pcs$0.30454
- Artikelnummer:
- IPC020N10L3X1SA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPC020N10L3X1SA1 elektronische Komponenten. IPC020N10L3X1SA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPC020N10L3X1SA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPC020N10L3X1SA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPC020N10L3X1SA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 12µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Paket / fall :
Die
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