DMG8601UFG-7 Preise (USD) [438799Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMG8601UFG-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMG8601UFG-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMG8601UFG-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.05V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
143pF @ 10V
Leistung max :
920mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerUDFN
Supplier Device Package :
U-DFN3030-8
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