PHKD3NQ10T,518 Preise (USD) [4147Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PHKD3NQ10T,518
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518 elektronische Komponenten. PHKD3NQ10T,518 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PHKD3NQ10T,518 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
PHKD3NQ10T,518 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PHKD3NQ10T,518
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
633pF @ 20V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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